Disorder Control in Crystalline GeSb2Te4Using High Pressure

Disorder Control in Crystalline GeSb2Te4 Using High Pressure

Electronic phase-change memory devices take advantage of the different resistivity of two states, amorphous and crystalline, and the swift transitions between them in active phase-change materials (PCMs). In addition to these two distinct phases, multiple resistive states can be obtained by tuning the atomic disorder in the crystalline phase with heat treatment, because the disorder can lead to...

emittance control in high power linacs

چکیده این پایان نامه به بررسی اثر سیم پیچ مغناطیسی و کاوه یِ خوشه گر با بسامد رادیویی بر هاله و بیرونگراییِ باریکه هایِ پیوسته و خوشه ایِ ذرات باردار در شتابدهنده های خطیِ یونی، پروتونی با جریان بالا می پردازد و راه حل هایی برای بهینه نگهداشتن این کمیتها ارایه می دهد. بیرونگرایی یکی از کمیتهای اساسی باریکه هایِ ذرات باردار در شتابدهنده ها است که تاثیر قابل توجهی بر قیمت، هزینه و کاراییِ هر شتابدهند...

Ab Initio Molecular Dynamics: Disorder Control in Crystalline GeSb2Te4 Using High Pressure (Adv. Sci. 8/2015)

Annealing of nanoindentation-induced high pressure crystalline phases created in crystalline and amorphous silicon

Thermally induced phase transformation of Si-III/Si-XII zones formed by nanoindentation has been studied during low temperature 200 T 300 °C thermal annealing by Raman microspectroscopy and transmission electron microscopy. Two sizes of spherical indenter tips have been used to create substantially different volumes of phase transformed zones in both crystalline c-Si and amorphous silicon a-Si ...

Unraveling Crystalline Structure of High-Pressure Phase of Silicon Carbonate